二极管型号的含义

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国产半导体器件的命名方法
二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
第一部分：用数字表示器件电极的数目。
第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分：用数字表示器件序号。
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 ． 1 所示。
表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义
2        二极管        A        N 型，锗材料        P        普通        X        低频小功率
(fa<3MHz ， Pc<1W)        反映二极管、三极管参数的差别        反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如
A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压最低， B 稍高
B        P 型，锗材料        W        稳压管
C        N 型，硅材料        Z        整流管        G        高频小功率
(fa>3MHz ， Pc<1W)
D        P 型，硅材料        L        整流堆
3        三极管        A        PNP 型，锗材料        N        阻尼管        D        低频大功率
(fa<3MHz ， Pc>1W)
B        NPN 型，锗材料        K        开关管
C        PNP 型，硅材料        F        发光管        A        高频大功率
(fa>3MHz ， Pc>1W)
D        NPN 型，硅材料        S        隧道管
E        化合物材料        U        光电管        T        可控硅
CS        场效应管
BT        特殊器件
2 ．日本半导体器件的命名方法
日本半导体器件命名型号由五部分组成。
第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。 1 表示二极管， 2 表示三
极管。
第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。
第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。
第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号。
第五部分：表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表 5 • 2 所示。
表 5 ． 2 日本半导体器件的命名
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
序号 意义 符号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义
O        光电二极管 或三极管        S        已在日本电子工业协会注 册登记的 半导体 器件        A        PNP 高频晶体管        多 位数 字        该器件在日
本电子工业协会的注册登记号
A
B
C
D        该器件为原
型号产品的改
进产品
B        NP 低频晶体管
C        NPN 高频晶体管
1        二极管        D        NPN 低频晶体管
2        三极管或有三个电极的其他器件        E        P 控制极可控硅
G        N 控制极可控硅
H        N 基极单结晶管
J        P 沟道场效应管
3        四个电极的器件        N 沟道场效应管
M        双向可控硅
3 ．美国半导体器件的命名方法
美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。
第一部分为前缀。
第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分。
第五部分为后缀。这五部分符号及意义如表 5 ． 3 所示。
表 5 ． 3 美国半导体器件的命名
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
用符号表示器件的类别 用数字表示 PN 结数目 美国电子工业协会注册标志 美国电子工业协会登记号 用字母表示器分挡
序号        意义        序号        意义        序号        意义        序号        意义        序号        意义
JAN 或 J        军用品        1        二极管        N        该器件是在美 国电子工业协会注册登记的半导体器件