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内存条的种类

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发表于 2015-3-15 11:10:31 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
计算机机上所使用的内存可以分为只读存储器(ROM)、随机存储器(RAM)和高速缓冲存储器。ROM数据不能随意更新,但是在任何时候都可以读取。即使是断电,ROM也能够保留数据。RAM则在任何时候都可以读写,因此RAM通常用作操作系统或其它正在运行的程序的临时存储介质(可称作系统内存)。掉电时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘)。正因为如此,有时也将RAM称作“可变存储器”。RAM内存可以进一步分为静态(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类。
通常所说的内存即指计算机系统中的RAM。常见内存条有两种:单列直插内存条(SIMM),和双列直插内存条(DIMM)。SIMM内存条分为30线,72线两种。DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线。DIMM可单条使用,不同容量可混合使用,SIMM必须成对使用。
市场常见有DDR系列内存条和RDRAM内存条。
DDR系列内存条
DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM是SDRAM的更新换代产品,主要特点在于它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高速度。引脚为180线,工作电压为2.5V。DDR内存条如图所示。
内存条的种类
DDR内存条
DDR2内存长度与DDR基本相当,但引脚为240线,工作电压为1.8V,功耗更小。它采用4bit数据预取架构,数据传输频率比核心频率相同的DDR内存高1倍,目前是主流的内存。
DDR3内存是在DDR2基础上采用了8bit 预取设计,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,还采用点对点的拓扑架构,以减轻控制总线的负担。DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高,DDR3采用ODT(核心整合终结器)技术以及用于优化性能的EMRS技术,同时也允许输入时钟异步。在针脚定义方面,DDR3采用更为先进的FBGA封装。DDR3的工作电压降低为1.5V,性能更好更为省电。有望在不久的将来成为主流。
RDRAM内存条
RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统带宽,芯片到芯片接口设计的新型RAM,能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。同时使用低电压信号,在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。INTEL将在其820芯片组产品中加入对RDRAM的支持。但由于成本高,没有成为主流应用。

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