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NPO片式多层陶瓷电容器

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发表于 2018-1-10 08:27:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
NPO电容由于稳定性好误差小,最小能达到k档,一般是小容量的电容才用NPO材料,NPO多层陶瓷电容对应的陶瓷温度特性(TC.特性)为:-55---+125℃ 摄氏度间,温度每变化一度,变化的频率只有 0+-30ppm/℃也就相当于没有变化,是主要用在电路RF部分的电容器。其他常用材质有X5RX7RY5V
上面介绍的主要是MLCCMulti-layer ceramic capacitors  翻译过来就是片式多层陶瓷电容器。主要是因为其制作工艺为陶瓷叠层实现电荷的储存。原料就是瓷粉,研磨后成浆料,流延成博的膜片,在上面印刷镍电极。叠层,结构就出来了,后面的工序都是瓷体成行和端头处理的工序。一般现在的工艺是 铜镍锡 三层。
生产工艺流程:配料—流延—印刷—叠层—层压—切割—排胶—烧结—烧结—倒角—封端—烧端—端处—测试— 编带—包装.
用途:广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等。常用的有CT4 (低频);CT42(低频);CC4(高频)、CC42(高频)等系列
NPO多层陶瓷电容,片式多层陶瓷电容器,安规电容
NPO电容由于稳定性好误差小,最小能达到k,一般是小容量的电容才用NPO材料.译过来就是片式多层陶瓷电容器.主要用在电路RF部分的电容器,其他常用材质有X5R;X7R;Y5V.以上


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