◇King-max内存采用Tiny-BGA封装(Tiny ball grid array),由于该封装模式是专利产品,所以采用King-max颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。King-max内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits。 KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间× 4位数据宽度 KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间× 8位数据宽度 KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间× 4位数据宽度 KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间× 8位数据宽度 KSV864T4XXX——128Mbits,8M地址空间× 16位数据宽度 King-max内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率: -7A——PC133 /CL=2;-7——PC133 /CL=3; -8A——PC100/ CL=2;-8——PC100 /CL=3; 例如一条Kingman内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造,其容量计算为: 64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。 ◇HYUNDAI(现代)内存颗粒的编码规则: HY 5 a b c d e f g h i j k l m-no HY代表现代的产品; 5a表示芯片类型(57=SDRAM,5D=DDRSDRAM); b代表工作电压(空白=5V,V=3.3V,U=2.5V); c d e代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K Ref,64=64Mbits、8K Ref,65=64Mbits、4K Ref,128=128Mbits、8K Ref,129=128Mbits、4K Ref,256=256Mbits、16K Ref,257=256Mbits、8K Ref); f g代表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位); h代表内存芯片内部由几个Bank组成; I代表接口; j代表内核版本(可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表越新); k代表功耗(L=低功耗芯片,空白=普通芯片); lm代表封装形式(JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-II,TD=13mm TSOP-II,TG=16mm TSOP-II); no代表速度(7=7ns(143MHz),8=8ns(125MHz),10p=10ns(PC-100CL2或3),10s=10ns(PC-100 CL3),10=10ns(100MHz),12=12ns(83MHz),15=5ns(66MHz))。
例如:HY57V658010CTC-10s,HY表示现代的芯片,57代表SDRAM,65是64Mbit和4Krefreshcycles/64ms,8是8位输出,10是2个Bank,C是第4个版本的内核,TC是400mil TSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100 ◇现代公司收购的LGS所生产的内存颗粒编码规则: GM72V xx xx 1 x T/x –xx 最前面的两个xx表示容量,16为16MB,66为64MB,28为128MB。 最后两个xx代表速度——7=143MHz(PC133);7.5=133MHz(PC133);T-H=133MHz(PC133);8=125MHz;T-S=100MHz(PC100);7K=100MHz(CL为2,PC100);7J=100MHz(CL为3,PC100);10K=100MHz(PC66规格)。 ◇西门子内存颗粒编码规则: HYB39S128400即128MB/4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度。如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。 内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率: -7.5——表示该内存的工作频率是133MHz; -8——表示该内存的工作频率是100MHz。 KM4 a b S c d 0 e f g T-h。 a b代表数据位宽(位)。 c d代表容量(MB)。 e代表Bank数量。1、2、3分别代表2、4、8个Bank。 f代表内存接口。 g代表内存版本。空白是第一代,A是第二代,B是第三代。 T代表是TSOP II封装。 H代表 电源供应。G是自动刷新,F是低电压自动刷新。 |