内存条编码规则

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◇King-max内存采用Tiny-BGA封装（Tiny ball grid array），由于该封装模式是专利产品，所以采用King-max颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。King-max内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间× 4位数据宽度

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间× 8位数据宽度

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间× 4位数据宽度

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间× 8位数据宽度

KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间× 16位数据宽度

King-max内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；-8——PC100 /CL=3；

例如一条Kingman内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

◇HYUNDAI（现代）内存颗粒的编码规则：

HY 5 a b c d e f g h i j k l m-no

HY代表现代的产品；

5a表示芯片类型（57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；

b代表工作电压（空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；

c d e代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；

f g代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；

h代表内存芯片内部由几个Bank组成；

I代表接口；

j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表越新）；

k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；

lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；

no代表速度（7=7ns（143MHz），8=8ns（125MHz)，10p=10ns（PC-100CL2或3)，10s=10ns（PC-100 CL3)，10=10ns（100MHz)，12=12ns（83MHz)，15=5ns（66MHz)）。
例如:HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefreshcycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100

◇现代公司收购的LGS所生产的内存颗粒编码规则：

GM72V xx xx 1 x T/x –xx

最前面的两个xx表示容量，16为16MB，66为64MB，28为128MB。

最后两个xx代表速度——7=143MHz（PC133）；7.5=133MHz（PC133）；T-H=133MHz（PC133）；8=125MHz；T-S=100MHz（PC100）；7K=100MHz（CL为2，PC100）；7J=100MHz（CL为3，PC100）；10K=100MHz（PC66规格）。

◇西门子内存颗粒编码规则：

HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率：

-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

◇三星电子内存颗粒编码规则：

KM4 a b S c d 0 e f g T-h。

a b代表数据位宽（位）。

c d代表容量（MB）。

e代表Bank数量。1、2、3分别代表2、4、8个Bank。

f代表内存接口。

g代表内存版本。空白是第一代，A是第二代，B是第三代。

T代表是TSOP II封装。

H代表电源供应。G是自动刷新，F是低电压自动刷新。