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不能用单片机I/O口直接控制场效应管的场合

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发表于 2020-10-10 07:37:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
我们知道场效应管是一种压控型器件,对于大功率场效应管要想使它充分导通,就要给栅极一个较高的电压,例如我在维修电磁炉时就可以看到,作为控制LC振荡的绝缘栅场效应管(IGBT),它需要18V的电压才能满足绝缘栅场效应管的驱动要求,由于单片机的输出电压是5V,远远达不到场效应管导通的要求,因此就无法直接用单片机的I/O口去控制。这时电路就采用了两个三极管来组成推挽式的电路,去驱动场效应管。单片机先控制一个运放电路,然后再用三极管去驱动场效应管的,其原理图如下图所示。
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由此可见,MOS管能不能用单片机I/O口直接去驱动,要看具体的电路来确定。当用到小功率的场效应管是可以直接用单片机去驱动的,我在维修中常见到的SOT-23封装的、TO-92封装的小型场效应管都可以用单片机I/O口直接驱动,对与大功率场效应管比如TO-220封装的大功率场效应管,则必须外加驱动电路才可以驱动它,用三极管作为驱动电路就是常见的一种类型。

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