MOS管结构原理图解 通俗易懂

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1、结构和符号（以 N 沟道增强型为例）
在一块浓度较低的 P 型硅上扩散两个浓度较高的 N 型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
其他 MOS 管符号

2、工作原理（以 N 沟道增强型为例）
（1）VGS=0 时，不管 VDS 极性如何，其中总有一个 PN 结反偏，所以不存在导电沟道。
VGS=0，ID=0
VGS 必须大于 0，管子才能工作。

（2）VGS》0 时，在 Sio2 介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥 P 区多子空穴而吸引少子电子。当 VGS 达到一定值时 P 区表面将形成反型层把两侧的 N 区沟通，形成导电沟道。
VGS》0→g 吸引电子→反型层→导电沟道
VGS↑→反型层变厚→VDS↑→ID↑
（3）VGS≥VT 时而 VDS 较小时：
VDS↑→ID↑

VT：开启电压，在 VDS 作
用下开始导电时的 VGS°
VT=VGS—VDS

（4）VGS》0 且 VDS 增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。
VDS↑→ID 不变
mos 管三个极分别是什么及判定方法
mos 管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极）s（源及），要求栅极和源及之间电压大于某一特定值，漏极和源及才能导通。

1. 判断栅极 G
MOS 驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用：假如 MOS 管的 G 信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS 管发烧严峻，易热损坏 MOS 管 GS 间存在一定电容，假如 G 信号驱动能力不够，将严峻影响波形跳变的时间。
将 G-S 极短路，选择万用表的 R×1 档，黑表笔接 S 极，红表笔接 D 极，阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大，并且交换表笔后仍为无限大，则证实此脚为 G 极，由于它和另外两个管脚是绝缘的。
2. 判断源极 S、漏极 D
将万用表拨至 R×1k 档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是 S 极，红表笔接 D 极。因为测试前提不同，测出的 RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。
3. 丈量漏 - 源通态电阻 RDS（on）
在源 - 漏之间有一个 PN 结，因此根据 PN 结正、反向电阻存在差异，可识别 S 极与 D 极。例如用 500 型万用表 R×1 档实测一只 IRFPC50 型 VMOS 管，RDS（on）=3.2W，大于 0.58W（典型值）。
测试步骤：
MOS 管的检测主要是判断 MOS 管漏电、短路、断路、放大。
其步骤如下：
假如有阻值没被测 MOS 管有漏电现象。
1、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则 MOS 管漏电，不变则完好
2、然后一根导线把 MOS 管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则 MOS 完好。
3、把红笔接到 MOS 的源极 S 上，黑笔接到 MOS 管的漏极上，好的表针指示应该是无限大。
4、用一只 100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和漏极上，然后把红笔接到 MOS 的源极 S 上，黑笔接到 MOS 管的漏极上，这时表针指示的值一般是 0，这时是下电荷通过这个电阻对 MOS 管的栅极充电，产生栅极电场，因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。
MOS 管（场效应管）的应用领域
1：工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源
2：新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机
3：交通运输领域、车载逆变器、汽车 HID 安定器、电动自行车
4：绿色照明领域、CCFL 节能灯、LED 照明电源、金卤灯镇流器
MOS 管降压电路
图中 Q27 是 N 沟道 MOS 管，U22A 的 1 脚输出高电平时 Q27 导通，将 VCC—DDR 内存电压降压，得到 1.2V—HT 总线供电，而 U22A 的 1 脚输出低电平时 Q27 截止，1.2V_HT 总线电压为 0V。