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场效应管放大电路的直流偏置电路

2015-6-11 07:35| 编辑:电工学习网| 查看: 10810| 评论: 0

由场效应管组成放大电路时,也要建立合适的静态工作点Q,而且场效应管是电压控制器件,因此需要有合适的栅-源偏置电压。常用的直流偏置电路有两种形式,即自偏压电路和分压式自偏压电路。

1.自偏压电路

(a)

(b)

图 1

图1(a)所示电路是一个自偏压电路,其中场效应管的栅极通过电阻Rg接地,源极通过电阻R 接地。这种偏置方式靠漏极电流ID在源极电阻R上产生的电压为栅-源极间提供一个偏置电压VGS,故称为自偏压电路。静态时,源极电位VS=IDR。由于栅极电流为零,Rg上没有电压降,栅极电位VG=0,所以栅源偏置电压VGS= VGVS= –IDR 。耗尽型MOS管也可采用这种形式的偏置电路。

图1(b)所示电路是自偏压电路的特例,其中VGS=0。显然,这种偏置电路只适用于耗尽型MOS管,因为在栅源电压大于零、等于零和小于零的一定范围内,耗尽型MOS管均能正常工作。

增强型MOS管只有在栅-源电压达到其开启电压VT时,才有漏极电流ID产生,因此这类管子不能用于图1所示的自偏压电路中。

2.分压式偏置电路

图 2

分压式偏置电路是在自偏压电路的基础上加接分压电路后构成的,如图2所示。静态时,由于栅极电流为零,Rg3上没有电压降,所以栅极电位由Rg2Rg1电源VDD分压得到,即 。源极电位VS=IDR,因此栅源直流偏置电压

这种偏置方式同样适用于结型场效应管或耗尽型MOS管组成的放大电路。

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