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N沟道增强型MOS管的特性曲线、电流方程及参数

2015-6-11 07:29| 编辑:电工学习网| 查看: 37844| 评论: 0

1.特性曲线和电流方程

 

(b)

                          

N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDSvGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线,与结型场效应管相类似。在饱和区内,iDvGS的近似关系式为

 

                                                 ( vGSVT )   

式中IDOvGS=2VT时的漏极电流iD

2. 参数

MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同,只是增强型MOS管中不用夹断电压VP,而用开启电压VT表征管子的特性。

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