电工学习网

 找回密码
 立即注册

绝缘栅型场效应晶体管的主要参数

2015-4-30 06:48| 编辑:电工学习网| 查看: 6763| 评论: 0

1、栅—源直流输入电阻RGS

在漏-源两极短路的情况下,外加栅源直流电压与栅极直流电流之比即为栅—源直流输入电阻RGS。由于MOSFET是电压控制元件,所以RGS很大,一般大于109Ω,这是MOSFET的优点之一。

2、栅一源击穿电压UGS(BR)

栅一源击穿电压是在增大MOSFET的UGS的过程中,绝缘层击穿,使IG迅速增大时的UGS(BR)值。

3、最大漏极电流IDM和最大耗散功率PDM

IDM和PDM都是MOSFET的极限参数,IDM是管子正常工作时漏极电流的上限值。最大耗散功率PDM决定于管子允许的温升。

4、低频跨导gm

低频跨导是在UDS为某一固定值时,漏极电流微小变化ΔID和对应输入电压变化量ΔUGS之比,即

其单位常采用和mS。它的大小是转换特性曲线在工作点处的切线的斜率,工作点位置不同,其数值也不同。低频跨导gm表示uGS对iD控制作用的强弱,是衡量MOSFET放大能力的参数。

看过《绝缘栅型场效应晶体管的主要参数》的人还看了以下文章:

发表评论

最新评论

  • 7812引脚图及参数,7812稳压电路图
  • 74LS48中文资料(引脚图,真值表及内部结构原
  • 万用表怎么测三极管_万用表测试三极管好坏
  • 色环电阻对照表_色环电阻读数方法
  • 如何判断三极管是PNP型还是NPN型
  • CD4011中文资料(功能,真值表,引脚图及电气
热点文章

电工学习网 ( )

GMT+8, 2021-7-31 19:06

Powered by © 2011-2021 www.diangon.com 版权所有 免责声明 不良信息举报

技术驱动未来! 电工学习网—专业电工基础知识电工技术学习网站。

栏目导航: 工控家园 | 三菱plc | 西门子plc | 欧姆龙plc | plc视频教程

返回顶部