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绝缘栅型场效应管的特性曲线

2015-2-23 08:24| 编辑:电工学习网| 查看: 8615| 评论: 0

由于绝缘栅型场效应管分增强型和耗尽型两种,我们仅以N沟道为例介绍绝缘栅型场效应管的特性曲线。

(1)转移特性曲线

增强型NMOS管的转移特性曲线如图(a)所示, U GS =0 时, I D =0 ;只有当 U GS > U T 时才能使 I D >0 U T 称为开启电压。耗尽型NMOS管的转移特性曲线如图(b)所示,在 U GS =0 时,就有 I D ;若使 I D 减小, U GS 应为负值,当 U GS = U P 时,沟道被关断, I D =0 U P 称为夹断电压。

对于增强型MOS在 U GS U T 时(对应于输出特性曲线中的恒流区), I D U GS 的关系为 I D = I D0 ( U GS U T 1 ) 2 ,其中 I D0 U GS =2 U T 时的 I D 值。

耗尽型MOS管的转移特性与结型管的转移特性相似,所以在 U P U GS ≤0的范围内(对应于输出特性曲线中恒流区), I D U GS 的关系为 I D = I DSS ( 1 U GS U P ) 2 。所不同是当 U GS >0时,结型场效应管的PN结将处于正向偏置状态而产生较大的栅极电流,这是不允许的;耗尽型MOS管由于 Si O 2 绝缘层的阻隔,不会产生PN结正向电流,而只能在沟道内感应出更多的负电荷,使 I D 更大。

(2)输出特性曲线

绝缘栅型场效应管的输出特性曲线和结型场效应管类似,同样也分成三个区:可调电阻区、恒流区(饱和区)、击穿区,含义与结型场效应管相同,跨导 g m = Δ I D Δ U GS 的定义及其含义也完全相同。

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