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N沟道增强型绝缘栅型场效应管

2015-2-23 08:22| 编辑:电工学习网| 查看: 18621| 评论: 0

N沟道增强型绝缘栅型场效应管是以一块杂质浓度较低的P型半导体作衬底,在它上面扩散两个高浓度的N型区,各自引出一个为源极S和漏极D,在漏极和源极之间有一层绝缘层( Si O 2 ),在绝缘层上覆盖有铝做为栅极G,其结构和符号如图1所示。

如图2所示,当 U GS =0,在DS间加上电压 U DS 时,漏极D和衬底之间的PN结处于反向偏置状态,不存在导电沟道,故DS之间的电流 I D =0。当 U GS 逐渐加大达到某一值(开启电压 U T )时,由于电场的作用,栅极G与衬底之间将形成一个N型薄层,其导电类型与P型衬底相反,称为反型层。由于这个反型层的存在使得DS之间存在一个导电沟道, I D 开始出现,而且沟道的宽度随 U GS 的继续增大而增大,所以称为增强型场效应管。它的特点是:当 U GS =0, I D =0; U GS U T I D >0。

可见增强型绝缘栅场效应管的漏极电流 I D 是受栅极电压 U GS 控制的,它与结型场效应管一样是电压控制型器件,所不同的是它必须在为 U GS 正且大于 U T 时才能工作。

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