一、晶体三极管的低频小信号模型
在上述条件下,把晶体三极管看成一个双口网络,并把b-e作为输入口,c-e为输出口,则网络外部的端电压和电流关系就是晶体管的输入特性和输出特性。如图所示: ![]() 可以写成如下关系式: 晶体三极管的低频小信号模型如下: ![]() 由电路网络理论得出: 由于内电压反馈系数 ![]() 在应用三极管低频小信号模型时应注意: ①只适用于低频小信号条件下; ②变化量或交流分量,不允许出现直流量或瞬时量符号; ③模型中的参数,与Q点有关,不是固定常数; ④电流源“βib” 方向和大小由ib 决定; ⑤β和rbe可用H参数测试仪测得,而rbe可用公式估算 : 二、场效应管的低频小信号模型 晶体三极管的低频小信号模型相同,场效应管在低频小信号的条件下,在特性曲线Q点附近的某一小段曲线,同样可以等效成一条直线。不管是结型的还是MOS场效应管,由于栅极都不取电流,而漏源之间相当于是电压控制电压源,所以有如下的低频小信号模型。 ![]() 图中gm:低频跨导,它表征了ΔVGS对ΔiD的控制能力。rds:输出电阻(动态电阻),通常可忽略。受控电流源方向:对6种类型FET都适用。 |
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GMT+8, 2021-4-13 11:24