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三极管饱和条件

2014-10-9 09:09| 编辑:电工学习网| 查看: 6648| 评论: 0

1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。
2.集电极电阻 越大越容易饱和;
3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制
基极电流达到多少时三极管饱和?
这个值应该是不固定的,它和电源电压,集电极负载、β值,基极电阻,
基极信号大小有关.
另外一个应该注意的问题就是:在Ic增大的时候,hFE会减小,所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib〉〉Ic(max)/hFE,Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限,当然这是以牺牲关断速度为代价的。
饱和时Vb>Vc,但Vb>Vc不一定饱和
一般判断饱和的直接依据还是防大倍数,有的管子Vb>Vc时还能保持相当高的放大倍数
例如:有的管子将Ic/Ib<10定义为饱和
Ic/Ib<1应该属于深饱和了
用三极管可以考虑以下几点:
1)耐压够不够
2)负载电流够不够大
3)速度够不够快(有时却是要慢速)
4)B极控制电流够不够
5)有时可能考虑功率问题
6)有时要考虑漏电流问题(能否“完全”截止)。
7)增益

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