IGBT的主要参数

王栋春

(1)集-射极额定电压UCES。它是栅一射极短路时的IGBT最大耐压值，是根据器件的雪崩击穿电压规定的。

    (2)栅-射极额定电压UGES。IGBT是电压控制器件，靠加到栅极的电压信号来控制IGBT的导通和关断，而UGES是栅极的电压控制信号额定值。通常IGBT对栅极的电压控制信号相当敏感，只有栅极在额定电压值很小的范围内，才能使IGBT导通而不致损坏。

    (3)栅-射极开启电压UGE(th)。它是指使IGBT导通所需的最小栅射极电压。通常，IGBT的开启电压UGE(th)在3～5.5V之间。

    (4)集电极额定电流IC。它是指在额定的测试温度（壳温为25℃）条件下，IGBT所允许的集电极最大直流电流。

    (5)集-射极饱和电压UCEO。IGBT在饱和导通时，通过额定电流的集射极电压，代表了IGBT的通态损耗大小。通常IGBT的集一射极饱和电压UCEO在1.5～3V之间。

王栋春

有伴 发表于 2015-9-5 07:35

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