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随着半导体工艺尺寸从微米量级向纳米量级缩小，静电放电（ESD）对于半导体器件与系统的影响仍在持续。 本书从全芯片ESD设计综合的角度，对EOS、ESD以及Latchup进行了探讨。针对ESD保护网络集成的方方面面提供了非常清晰的阐述，并列举了一些关于特定技术、电路以及芯片中应用的举例。本书的独特之处在于，无论是半导体芯片集成问题还是ESD网络平面布局都是按照了“自顶向下”的设计方式来讲述。 本书涵盖： 在DRAM、SRAM、CMOS图像处理芯片、微处理器、模拟产品、射频模块中如何集成核心电路、电源总线以及信号引脚，以及这些整合将如何影响ESD的设计与集成。 混合电压、混合信号的架构设计，以便于RF设计中的ESD分析。 外围和核心电路的I/O布局及其在ESD和Latchup下的应用。 在“自底向上”和“自顶向下”两种方法下进行保护环整合，将涵盖I/O保护环、ESD保护环、I/O至I/O之间和I/O至核心电路间等情况。 对ESD电源钳位单元和ESD信号引脚电路进行分类，并介绍对给定的芯片如何选择正确的方案。 给出各种先进工艺下的ESD设计实例，包括CMOS、BiCMOS、SOI、双极工艺、高压CMOS（HVCMOS）、射频CMOS和智能功率芯片。 给出一些实用的方法，以帮助理解ESD电路电源布局、基本规则建立、内部总线布局、电流路径分析和质量指标等概念。 简介： 作者: （美）Steven H.Voldman 出版社: 机械工业出版社 译者: 刘志伟 出版年: 2013-8 页数: 230 定价: 68.00元 装帧: 平装 ISBN: 9787111427766
ESD电源网络设计42776.pdf
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发表于 2013-9-4 08:47:26
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