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PIN光电二极管

2015-3-24 08:43| 编辑:电工学习网| 查看: 23485| 评论: 0

 

 

    显然,利用上述光电效应可以制造出简单的P-N结光电二极管.但是,仔细研究将会发现,在P-N结中,由于有内建电场的作用中,内建电场使耗尽层的能带形成一个“斜坡”——位垒),使光电子和光空穴的运动速度加快,从而,使光电流能快速地跟着光信号变化,即响应速度快.然而,在耗尽层以外产生的光电子和光空穴由于没有内建电场的加速作用,运动速度慢,因而响应速度低,而且容易被复合掉,使光电转换效率差,这是人们所不希望的.
    为了改善光电检测器的响应速度和转换效率,显然,适当加大耗尽层宽度是有利的,为此在制造时,在P型材料和N型材料之间加一层轻掺杂的N型材料,称为I(Intrinsic,本征的)层,加图1所示.由于是轻掺杂,故电子浓度很低,经扩散作用后可形成一个很宽的耗尽层,
    另外,为了降低P-N结两端的接触电阻,以便与外电路联接,将两端的材料做成重掺杂的P+层和N+层.
    人们将这种结构的光电二级管称为PIN光电二极管,制造这种晶体管的本征材料可以是Si或InGaAs,通过掺杂后形成P型材料和N型材料.PIN光电二极管的结构示意如图2所示。

图1 PIN光电二极管能带图和构成示意图

图2 PIN光电二极管结构示意图(剖面图)

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