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二极管PN结的形成

2017-9-13 19:52| 发布者: admin| 查看: 395| 评论: 0

摘要:   纯净半导体中掺入微量的杂质元素,形成的半导体称为杂质半导体。半导体根据掺入的杂质元素的不同,可以分为P型半导体和N型半导体。二极管有PN结,采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体和N型半导体制作 ...

  纯净半导体中掺入微量的杂质元素,形成的半导体称为杂质半导体。半导体根据掺入的杂质元素的不同,可以分为P型半导体和N型半导体。二极管有PN结,采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界处形成空间电荷区称之为PN结,PN结具有单向导电性。
  当把P型半导体和N型半导体制作在一起时,在它们的交界面处,由于两种半导体多数载流子的浓度差很大,因此P区的空穴会向N区扩散,同时,N区的自由电子也会向P区扩散,如图1所示。图中 虚线箭头表示P区中空穴的移动方向,实线箭头表示N区中自由电子的移动方向。


  图1 P区与N区中多数载流子的扩散运动

  扩散到P区的自由电子遇到空穴会复合,扩散到N区的空穴与自由电子也会复合,所以在交界面处多子的浓度会下降,P区出现负离子区,N区出现正离子区,称为空间电荷区。出现空间电荷区以后, 由于正负电荷之间的相互作用,在空间电荷区会形成一个电场,电场方向由带正电的N区指向带负电的P区。由于这个电场是由载流子扩散运动(即内部运动)形成的,而不是外加电压形成的,故称为内电场。随着扩散运动的进行,空间电荷区会加宽,内电场增强,其方向正好阻止了P区中的多子空穴和N区中的多子自由电子的扩散。
  在内电场电场力的作用下,P区的少子自由电子会向N区漂移,N区的少子空穴也会向P区漂移。漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区失去的空穴, 而从P区漂移到N区的自由电子补充了原来交界面上N区所失去的自由电子,这就使得空间电荷变少。由此可见,漂移运动的作用是使空间 电荷区变窄,与扩散运动的作用正好相反。在无外加电场和其他激发作用下,参与扩散运动的多子数目与参与漂移运动的少子数目相等时,达到动态平衡,这是交界面两侧形成的一定厚度的空间电荷区,称为PN结。这个空间电荷区阻碍多子的扩散,因此也称阻挡层;又由于其中几乎没有载流子,因此又称耗尽层。PN结如图2所示。


  图2 平衡状态下的PN结

 

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